微软开发了一个包括7，华硕185个图标描绘对的数据集，并运用BLIP-v2模型对其进行微调，可以更精确地描绘常见使用图标的语义信息。

在400伏的漏极偏置下，列新其短路耐受时刻为5微秒（图3），而且经过了1000小时175摄氏度高温反向偏置应力测验。在前道制作过程中，品行蓝宝石上III-N缓冲层的厚度能够削减60%以上，品行然后下降外延本钱，一起坚持杰出的晶体质量和高电绝缘性，这不只在150毫米基板上，而且在200毫米基板上也是如此。

横向1200V氮化镓HEMT保留了横向HEMT的一切长处：华硕高迁移率（下降存储电荷）、大面积（进步热导率）和低制作本钱。群众商场对此反响火热，列新氮化镓的运用在手机和笔记本电脑等便携设备（功率规模在65到250W之间）的快速充电器以及高达3.2kW的电源中蓬勃开展。1高压氮化镓(1200V)氮化镓HEMT具有共同的优势，品行能够服务于商业上重要的宽电压规模，品行从100V到1200V，而且相关于硅IGBT、硅CoolMOS和碳化硅晶体管具有竞赛优势。

Transphorm展现了1200V氮化镓，华硕它运用在蓝宝石（一种具有超卓电绝缘性的资料）上堆积的资料构建的横向HEMT，华硕以消除漏极和衬底之间的击穿，并阻断1200V及更高的电压。图6.氮化镓双向开关(BDS)的完成，列新运用D形式单片氮化镓与低压硅FET的级联装备，列新以供给高阈值电压、高栅极裕量、更高的牢靠性以及抗噪声和寄生导通才能。

HEMT的单片集成答应同享高压漂移区，品行与两个分立的氮化镓开关比较，芯片尺寸减小了40%。

运用封装在TO-247封装内的70mΩ蓝宝石衬底GaN2芯片常关型GaNFET，华硕咱们取得了900:450V降压转化器在50kHz下大于99%的功率。【大公报讯】据中通社报导：列新台湾方面数据显现，2024年新增爱滋病感染者1002人，85%为45岁以下青壮年，其间15岁至34岁集体感染人数增幅近两成。

官员呼吁，品行只需曾有性行为者，都主张至少进行一次爱滋病筛检，了解本身健康状况。台湾爱滋病感染人数自2018年起接连6年呈下降趋势，华硕2023年计算通报新增感染人数更是初次跌破千人、为939人，但2024年感染人数再次上升。

计算还指出，列新2024年台湾爱滋病新增感染人数较2023年添加，其间15岁至24岁添加约16.7%，25岁至34岁添加约17.3%，35岁至44岁则削减约9%。台疾管署表明，品行2024年全年台湾爱滋病自我筛检人数打破8.4万人，较往年的5万人到7万人大幅添加